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在氧化锌晶体发光过程中加速或减速,最近的一项研究测量了氧化锌 (ZnO) 晶体在发光过程和非发光过程中的内量子效率 (IQE),行业资讯在线,houshionline.com
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在氧化锌晶体发光过程中加速或减速,最近的一项研究测量了氧化锌 (ZnO) 晶体在发光过程和非发光过程中的内量子效率 (IQE)
2021年08月03日    阅读量:2052    新闻来源:行业资讯在线 houshionline.com  |  投稿

最近的一项研究测量了氧化锌 (ZnO) 晶体在发光过程和非发光过程中的内量子效率 (IQE)。


该研究的主要作者 Kazunobu Kojima 教授说:“从这两个过程中获得 IQE 的定量分解,使我们能够更好地设计半导体以提高 IQE。”


高效的电子和光学设备对于减少能源消耗和实现生态友好型社会至关重要中国机械网okmao.com


在氧化锌晶体发光过程中加速或减速,最近的一项研究测量了氧化锌 (ZnO) 晶体在发光过程和非发光过程中的内量子效率 (IQE) 行业资讯在线,houshionline.com


ZnO 是直接带隙半导体中一种有吸引力的材料。它们具有发光特性以及承受大电场的韧性,由于它们的大带隙能量和大激子结合能,使它们能够为电子设备供电。这也使它们适用于抗辐射薄膜晶体管和异质结构场效应晶体管。


在高质量的 ZnO 晶体中,非辐射复合中心 (NRC) 对近带边 (NBE) 发射很重要。这些中心充当不需要的能量耗散通道并降低 NBE 发射的 IQE。


为了了解发光过程还是不发光过程在决定 IQE 行为方面更重要,小岛和他的同事测量了通过水热法生长的 ZnO 晶体的 IQE 值。为此,他们采用了小岛和其他研究人员创造的一种称为全向光致发光 (ODP) 光谱的技术——一种用光探测半导体晶体以检测缺陷和杂质的无损方法。


在光泵浦条件下检查了 ZnO 晶体中的 IQE 特性。IQE 值表明弱光泵浦条件的恒定行为和强激发的单调增加。由于在光泵浦的非发光过程中观察到显着下降,因此表明 IQE 增加的起源主要是由于 NRC 饱和导致的非发光过程的减速。


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